SK hynixが321層1TビットNANDの量産を開始、2025年上期より供給を開始

SK hynixは、トリプルレベルセル(TLC)ベースの1Tビット321層4D NANDフラッシュメモリの量産を開始し、2025年上半期より顧客への提供を開始する計画であることを発表した。4D NANDは同社独自の呼称で、周辺回路(ペリフェラル)の直上にセルアレイを積層することでシリコンダイ面積を削減した3D NAND構造を指している。

すでに同社は2023年6月に238層の4D NANDの供給を開始。今回の300層を超える積層について同社は、基板の層を貫通し、一度にセルを作製する垂直の孔(プラグ)を活用した「3プラグ」工程技術を採用することで実現したという。同工程は、3回のプラグ工程を終えた後、最適化された後続の工程を通じて3つのプラグを電気的に接続するというもので、この工程のために同社は、プラグの材料を変更して応力を低くし、ウェハの反りを防ぎ、プラグ間のアラインメントを自動的に補正する技術を導入したとしている。