キオクシアとWestern Digital、第8世代となる218層3次元NANDフラッシュメモリを発表

キオクシアとWestern Digitalは3月30日、第8世代BiCS FLASHとなる218層の3次元NANDフラッシュメモリを発表した。

218層3次元NAND同製品は、4プレーン動作の1TビットのTLCとQLCで展開され、いくつかの独自プロセスやアーキテクチャを導入することで実現した平面方向のスケーリング技術の採用により、前世代比50％以上のビット密度向上を実現したという。また、ウェハボンディング技術を用いて、別々に製造したCMOS回路のウェハとメモリセルアレイのウェハを貼り合わせるCBA(CMOS directly Bonded to Array)技術を開発。これにより、ビット密度の向上と高速なNAND I/O速度を実現したとしており、そのNAND I/O速度は前世代比で60％増の3.2Gbps以上を実現、20％の書き込み性能改善と読み出しレイテンシの改善も実現するなど、全体的なパフォーマンス、ユーザビリティが向上したとする。